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简述光刻的工艺过程
光刻工艺的
八个步骤
答:
光刻工艺的八个步骤制造掩模版、涂胶、对准和曝光、显影、烘烤、腐蚀、去胶、检查和包装
。第一步:制造掩模版 光刻工艺的第一步是制造掩模版。掩模版是光刻工艺中用于将设计图案转移到晶圆上的工具。掩模版上涂有一层铬,其上刻有设计好的图案。在制造过程中,首先使用电子束曝光技术将图案转移到光敏材...
光刻
曝光技术的主要流程是什么?每个步骤的意义都是什么?
答:
光刻工艺
主要步骤 1. 基片前处理 为确保
光刻
胶能和晶圆表面很好粘贴,形成平滑且结合得很好的膜,必须进行表面准备,保持表面干燥且干净,2. 涂光刻胶 涂胶的目标是在晶圆表面建立薄的、均匀的,并且没有缺陷的光刻胶膜。3. 前烘(软烘焙)前烘的目的是去除胶层内的溶剂,提高光刻胶与衬底的粘附力...
光刻一般的
光刻工艺
答:
光刻工艺是一个精密的半导体制造过程,
主要包括多个步骤:硅片清洗烘干:首先,通过湿法清洗去除表面污染物,然后用氮气保护的热板进行脱水烘焙
,以增强表面的疏水性。涂底:采用气相或旋转涂底方式,确保表面均匀附着光刻胶,增强黏附性,但可能面临颗粒污染问题。旋转涂胶:静态或动态涂覆光刻胶,关键参数包括...
什么是实现集成电路图形转移的主要技术手段。
答:
光刻工艺
是实现集成电路转移的主要技术手段。其原理与我们通常的照相技术相类似,基本
过程
为: 1、在硅晶圆片上涂上一层
光刻
胶(又称光致抗蚀剂,一种光敏材料),这层光刻胶相当于印相纸。用预先制作好的有一定图形的光刻掩膜版(相当于印相时的底片)盖上。&...
想请问一下这个
光刻工艺
流程该怎么绘制呢?
答:
光制
工艺
主要少骤 1.基片前处理 为病保光制胶能唱圆表面很好精贴,形成发平滑日始合得很好的限,必频通行表而准备。保持表国干燥且干净.2.涂
光刻
胶 途胶的目标是在品园表面建立薄的。均匀的,并且没有有缺陷的光刻胶膜。3.前烘(软烘烟)招款的目的是去险教层内的清外。提商光制胶与村庭...
光刻的
工序
答:
一般的
光刻工艺
要经历硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂
光刻
胶、软烘、对准曝光、后烘、显影、硬烘、刻蚀、检测等工序。硅片清洗烘干1、硅片清洗烘干(Cleaning and Pre-Baking)方法:湿法清洗+去离子水冲洗+脱水烘焙(热板150~250C,1~2分钟,氮气保护)目的:a、除去表面的污染物(颗粒、有机物、工艺残余、可动离子);b...
芯片制造
过程
中最复杂最关键
的工艺
步骤是
答:
光刻工艺是半导体器件制造工艺中的一个重要步骤,利用曝光和显影在
光刻
胶层上刻画几何图形结构,然后通过刻蚀工艺将光掩模上的图形转移到所在衬底上。
光刻工艺的
基本流程包括前处理、涂胶、烘胶、曝光、显影、坚膜烘烤和蚀刻等。其中,曝光是将掩膜版上的图形转移到光刻胶上
的过程
,其工艺水平直接决定芯片的...
光刻工艺的
流程有哪些?
答:
光刻工艺是利用类似照相制版的原理,在半导体晶片表面的掩膜层上面刻蚀精细图形的表面加工技术。也就是使用可见光和紫外光线把电路图案投影“印刷”到覆有感光材料的硅晶片表面,再经过蚀刻工艺去除无用部分,所剩就是电路本身了。
光刻工艺的
流程中有制版、硅片氧化、涂胶、曝光、显影、腐蚀、去胶等。光刻是...
光刻
技术
的工艺
流程
答:
在狭义上,
光刻工艺
仅指光复印工艺,即图1中从④到⑤或从③到⑤
的工艺过程
。 常用的曝光方式分类如下:接触式曝光和非接触式曝光的区别,在于曝光时掩模与晶片间相对关系是贴紧还是分开。接触式曝光具有分辨率高、复印面积大、复印精度好、曝光设备简单、操作方便和生产效率高等特点。但容易损伤和沾污掩...
试
述光刻
加工的主要阶段
答:
涂胶,曝光,显影。涂胶又分HMDS,Coat,Softbake三步,显影分PEB,Develop,Hardbake三步。连续喷雾显影/自动旋转显影。一个或多个喷嘴喷洒显影液在硅片表面,同时硅片低速旋转(100~500rpm)。喷嘴喷雾模式和硅片旋转速度是实现硅片间溶解率和均匀性的可重复性的关键调节参数。
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