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ddr4内存时序多少为好
三星
ddr4
23200频率的最佳
时序
是什么?
答:
总的来说,
3200频率内存的最佳时序是CL16
,但具体选择还需要根据硬件环境和性能需求进行调整。如果不确定如何设置,可以参考主板和内存制造商提供的推荐值,或者咨询专业的技术支持人员。
4
条
内存
超频
时序
要放宽吗
答:
要放宽1、ddr4内存时序参数3200(16)8G×16
,CL16-16-161.35V为好,默认DDR42133,1.2V,加载XMP可以直接提升频率为DDR4320016-16-16-362T,高频下的电压为1.35V;2、ddr4内存不动第一时序就尽量不动第一时序,首先应该从调整第二时序入手,放大tRFC、tREF一般可以获得更高的频率;ddr4内存...
ddr4
2400
内存
最佳
时序
答:
CL15-17左右。普通的
ddr4
2400
内存条
频率为2400MHz,
时序
CL15-17左右。几乎所有的
DDR4
代的内存条默认的频率只有2133MHz,所以即使你买的是高频内存条,也需要在主板BIOS设置中打开XMP(自动超频)或手动设置超频后才能达到商家所给出的频率,而且,很多主板并不支持超过2666MHz以上的频率,即使你的内存条...
DDR4 内存 时序
Cl15 和cl14哪个好
答:
这两套内存,
一套2800MHz CL16,频率占优势;一套2666MHz CL15
,时序占优势。频率占优势的带宽会高一些,时序占优势的延迟会低一些,但两者的参数差距又非常小。那么这里就分为带宽党和时序党了,我是比较偏向时序的,因为现在使用DDR4内存的平台,处理器基本都是Haswell-E,而这类处理器,支持四通道...
三星
ddr4
3200
内存条时序
答:
三星ddr43200内存条时序默认为DDR4,2133,1.2V
。ddr43200内存时序参数调为3200(16)8Gx16,CL16-16-161.35V为好。加载XMP可直接提升频率为DDR4-3200-16-16-16-362T,高频下的电压为1.35V。ddr4-3200内存条不动第一时序,应调整第二时序入手,放大tRFC、tREF可获得更高的预率:ddr4内存与ddr...
DDR4内存
频率
多少
合适?
答:
具体规格方面,低频
DDR4
2133MHz
内存时序为
15-15-15-36 2T,高频DDR4 3000MHz内存时序为15-16-16-36 2T。测试的两套内存均为8GB*2双通道组合。 DDR4高低配内存测试平台 测试平台方面,为了最大限度减少平台对内存性能的发挥造成的瓶颈,测试使用了Intel Z170+Core i7-6700K...
Ddr4
2400 16-16-16-39和
ddr4
3600 19-20-20-40哪个好,不超
答:
16-16-16-39和19-20-20-40这个讲的是
内存条时序
,时序越低越好,但是19和20基本上没什么区别,但是厂家出厂默认频率不一样,
DDR4
3600和DDR4 2400频率,如果不超频是选2400频率性价比高,如果是超频用3600频率好太多了,
DDR4内存时序
16-16-16-39好 还是15-15-15-35好,为什么,求大神解答...
答:
15-15-15-35的好,
时序
越低越好
4000频率
内存
最佳
时序
电压
答:
电压给1.45v。4000c14的延迟应该在52-53ns左右,
DDR4
的颗粒普遍都能耐受1.45V以内的电压,专门的超频颗粒甚至可以耐受1.7V以内的电压,因此4000频率
内存
最佳
时序
电压为1.45v。
内存时序
可以调低吗
答:
因为
内存
是易失性存储设备,需要不同的为内存的记忆单元充电保持数据。一般的,不加压,高
时序
,时序对性能影响极小,1866得着不住的,硬来会牺牲,时序911927还算不错的,如果能达到24就更好了,性能比
ddr4
2133还强一些,一般数字,A-B-C-D,分别对应的参数:CL-tRCD-tRP-tRAS。
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