00问答网
所有问题
当前搜索:
pmos为什么比nmos宽
为什么
coms中
pmos
晶体管的宽长比与
nmos
晶体管的宽长比的比值约为3
答:
由于mobility不一样,同样大小的Pmos和Nmos,Pmos驱动能力要弱
。所以在反向器中,通常把Pmos做成2~3倍于Nmos的大小,这样P/N驱动能力相同,方向器转折电压大概为VDD/2.这个也跟通道的长度有关,微米工艺和纳米工艺也不太一样。
为什么PMOS
的阈值电压
比NMOS
要大
答:
所以NWELL的杂志浓度比P-epi跟大一些,
衬底浓度越大,对应MOS管的阈值电压也越大,所以一般PMOS的阈值电压都要比NMOS要更大一些
。
CMOS反相器P管的宽长比
为什么比
N管的大
答:
CMOS反相器P管的宽长比比N管的大的原因是:这是和载流子有关
,P管是空穴导电,N管电子导电,电子的迁移率大于空穴,同样的电场下,N管的电流大于P管,因此要增大P管的宽长比,使之对称,这样才能使得两者上升时间下降时间相等、高低电平的噪声容限一样、充电放电的时间相等。CMOS反相器的特点是:(1...
cmos反相器的宽长比怎么选
答:
cmos反相器的宽长比可选nmos的两倍。根据查询相关资料,
为了使得噪声容限达到1/2VDD可选择pmos的宽长比为nmos的两倍
。具体设多少则根据要求定了,宽长比大的话寄生电容就大,速度就会慢。
pmos
和
nmos
有
什么
不同呢?
答:
但是
pmos
没有nmos流行的原因是,pmos导通压降大,效率低,
Pmos
的同态电阻
比NMOS
大,输入电压低,而且还有成本问题,所以开关电源主开关管很少用
PMOS
导通的意思是作为开关,相当于开关闭合。NMOS的特性,Vgs大于一定的值就会导通,适合用于源极接地时的情况低端驱动,只要栅极电压达到4V或10V就可以了。
pmos
与
nmos
有何区别?
答:
阈值电压小于0;
PMOS
,大于0。2、原理不同。最关键的区别在于耗尽型在G端不加电压都存在导电沟道,而增强型只有在开启后,才出现导电沟道。3、控制方法不同。(1)、耗尽型UGS可以用正、零、负电压控制导通。(2)、增强型必须使得UGS>UGS(th)才行,一般的增强型
NMOS
,都是正电压控制的。
mos管
的宽长比
答:
如果只是用来做驱动的话,根据负载能力确定宽长比。如果前级的驱动能力较小,同时有要求较高的速度,建议该级长和宽取小点。如果是用来驱动后一级电路,宽长比主要看后级负载大小,负载大,宽长比大,比如说后面有很长的数据线或者接了很多的负载。一般来说,
nmos管
的宽长比为
pmos
的1/3。mos管是...
mos管
的宽长比是
什么
答:
mos管
没有宽长比,mos管的VGS越负(绝对值越大),沟道的导通电阻越小,电流的数值越大。MOS晶体管可分为N沟道与P沟道两大类, P沟道硅MOS场效应晶体管在N型硅衬底上有两个P+区,分别叫做源极和漏极,两极之间不通导,源极上加有足够的正电压(栅极接地)时,栅极下的N型硅表面呈现P型反型层...
pmOS
和
nmos
有
什么
区别?
答:
NMOS
的栅极电压与源极电压之差(VGS)为正值时,NMOS导通。NMOS也用于逻辑电路中,通常与
PMOS
一起使用,以实现CMOS(互补金属氧化物半导体)逻辑。这两种MOSFET的不同工作方式和材料类型使它们在电子电路中有不同的应用。通常,PMOS和NMOS经常结合使用,以实现复杂的数字逻辑电路和模拟电路。它们是数字电子和...
问题:有关于ASIC库设计中的CMOS基本逻辑电路。如何计算其逻辑作用力...
答:
这个图就是aoi221的各个管子的比例,姑且定义输出Y=bar(AB+CD+E),bar代表非,那么对于一个反相器而言,
pmos
和
nmos
的尺寸比为2:1(一般认为pmos迁移率是nmos的一半,所以尺寸如此设定可以达到平衡设计的要求)。你可以把任何aoi结构都看成普通反相器的变形,所有的pmos最终等效为反相器中的p管,所有...
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
涓嬩竴椤
灏鹃〉
其他人还搜
为什么pmos的W比nmos更长
nmos和pmos宽长比
nmos和pmos哪个大
nmos关键尺寸
PMOS的ro和NMOS的ro谁大
nmos与pmos匹配长宽比
pmos和Nmos的区别
nmos版图
或非门pmos和nmos的WL之比