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半导体功率器件
功率器件
和集成电路的关系
答:
2. 互补功能:- 虽然
功率器件
和集成电路在功能上有所不同,但它们通常需要协同工作以实现复杂的电子系统。例如,
功率半导体
器件可以用于电源转换,而集成电路可以控制和监测功率器件的操作。这种协同工作允许电子设备执行各种任务,从处理数据到执行物理操作。3. 保护和控制:- 集成电路可以用于设计电子系统的...
碳化硅二极管的优势有哪些?
答:
用碳化硅做成功率器件,其最高工作温度有可能超过600℃,而硅的禁带宽度为1.12eV,理论最高工作温度200℃,但硅功率器件结温大于150℃~175℃后,可靠性和性能指标已经明显降低。2.高击穿场强提高了耐压,减小了尺寸 高的电子击穿场强带来了
半导体功率器件
击穿电压的提高。同时,由于电子击穿场强提高,在...
宽禁
功率半导体器件
封装集成读博好就业吗
答:
好。1、需求大。宽禁
功率半导体器件
封装集成读博好需求大,随着我们国家科学技术的发展,国家对半导体进行了巨大的投入,国内需要大量高技术人才,是很好就业的。2、前景。宽禁功率半导体器件封装集成读博前景好,毕业之后可就业于化工能源公司、半导体电子类公司、物理类行业、也可在材料研究所或高校就业,...
13005三极管的详细参数?
答:
MJE13005详细参数有:集电极-基极最高反向耐压VCBO:700V 集电极-发射极最高反向耐压VCEO:400V 发射极-基极最高反向耐压VEBO:9V 集电极最大允许电流ICM:5A 集电极最大耗散
功率
PCM:75W 最高工作结温TJM:150℃ 贮存温度TSTG:-65~150℃ 集电极-基极截止电流ICBO:100μA (VCB=700V)...
功率器件
门极和栅极有什么区别
答:
这个区别通常出现在不同种类的
功率半导体器件
中。例如,MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)和IGBT(绝缘栅双极晶体管)都具有栅极,而BJT(双极晶体管)通常会使用门极。无论使用"栅极"还是"门极",它们的功能都相同,都是通过控制栅极/门极电压来控制器件的导通和截止。不同的器件类型可能会有不同...
半导体器件
型号由哪些部分组成?
答:
表示三极管时:A-PNP型锗材料、B-NPN型锗材料、C-PNP型硅材料、D-NPN型硅材料。第三部分:用汉语拼音字母表示
半导体器件
的内型。P-普通管、V-微波管、W-稳压管、C-参量管、Z-整流管、L-整流堆、S-隧道管、N-阻尼管、 U-光电器件、K-开关管、X-低频小
功率
管(F<3MHz,Pc<1W)、G-高频小...
IGBT封装过程中有哪些关键点?
答:
因此IBGT焊接层的空洞成为人们极力解决的问题。而对于IGBT高可靠性的要求,空洞率必然是封装环节的一个重要控制因素。通常小家电、普通电气装备用的IGBT要求空洞率<5%,对于轨道交通、航空航天 等领域,空洞率要求更加苛刻,甚至需要达到0.1%以下。深圳市晨日科技股份有限公司在十多年来在
半导体
封装材料、LED...
半导体器件
的命名方法
答:
表示三极管时:A-PNP型锗材料、B-NPN型锗材料、C-PNP型硅材料、D-NPN型硅材料。第三部分:用汉语拼音字母表示
半导体器件
的类型。P-普通管、V-微波管、W-稳压管、C-参量管、Z-整流管、L-整流堆、S-隧道管、N-阻尼管、U-光电器件、K-开关管、X-低频小
功率
管(F<3MHz,Pc3MHz,Pc<1W)、D-...
氮化镓能用来做
半导体
材料吗?
答:
是的,氮化镓(GaN,Gallium Nitride)是一种重要的半导体材料,广泛应用于半导体器件制造。氮化镓具有一些优良的性质,使其成为高电子迁移率晶体管(HEMT)和其他射频、微波和
功率半导体器件
的理想材料。以下是氮化镓的一些特点和应用领域:1. 宽禁带宽度:氮化镓拥有宽禁带宽度,这意味着它可以承受更高的电场...
芯能科技是做什么的
答:
这些产品广泛应用于汽车电子、工业控制、家用电器、消费电子、新能源等领域。芯能科技的主要业务领域包括:1.
功率半导体器件
:芯能科技提供各种功率半导体器件,如功率二极管、功率晶体管、功率模块等。这些器件具有高可靠性、低损耗等特点,可以满足不同场景的需求。2.定制化服务:芯能科技根据客户的需求,为...
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