光电耦合器应用总结

如题所述

第1个回答  2022-06-06
光电耦合器用得太多,是时候总结一下了。仅以个人应用为出发点。

一、光耦分类

分两类:非线性光耦和线性光耦。

非线性光耦:适合于开关信号的传输(高低电平),不适合于传输模拟量。实际中常用。

线性光耦:以线性特性进行隔离控制。

二、光耦参数

查阅datasheet时的重点关注对象。

1.输入特性参数<=>前端发光二极管参数

(1) (正向工作电压Forward Voltage):正常工作时,二极管压降。

(2) (正向工作电流Forward Current):正常工作时,发光二极管电流。

2.输出特性参数<=>后端光敏三极管参数

(1) (集电极电流Collector Current):三极管集电极电流。

(2) (集电极-发射极电压 C-E Voltage):集电极-发射极两端电压。

(3) (C-E饱和电压 C-E Saturation Voltage):二极管工作电流 和集电极电流 为规定值时,并保持 时(  在被测管技术条件中规定)集电极与发射极之间的压降。

3.传输特性<=>输入端与输出端关系(电流)

(1)电流传输比 CTR (Current Transfer Radio)

输出管的工作电压为规定值时,输出电流和发光二极管正向电流之比为电流传输比 CTR 。在datasheet中该值有最小值。

三、常用电路设计

以非线性应用,即开关量控制应用为例。

1.常用电路原理图

图中, 电阻的位置可在三极管的C端或者E端。

在E端:如图示,表示 默认低电平,高电平为有效电平;

在C端:  在 后端或下端,表示 默认高电平,低电平为有效电平。

2.设计约束

通过查阅datasheet,确定上述重要参数后,设计输入输出端负载值的大小。

(1) 

(2)光敏三极管工作于饱和区。

由上可推导公式:

    式(1)

                          式(2)

两个式子中,除 外,其他为已知量或通过datasheet查阅到, 一般为0.4~0.7V, 一般为1.2V, CTR 一般为50%~600%, 一般为4mA~20mA。

式(1)可推导出两电阻之间比值关系,式(2)可得电阻数量级范围。

注: 通常会有典型值、测试值和最大值,通常选用测试值和典型值。前端设计时,注意防止误导通。

四、 CTR 的影响因素

一般,datasheet中会指出CTR的最小值及范围等,如果未指出,则需要查阅datasheet中的相关曲线图表。一般有以下影响因素:

1.光耦本身离散性;

2.温度影响:工作温度越高,CTR值越小;

3.原边电流IF影响:前向电流越大,CTR值越小;

4.Vce的影响:Vce必须大于一定电压(饱和电压刚刚好),Ic才能达到最大,CTR值才会大;

5.寿命影响:工作时间越长,CTR值越小。

五、工作在饱和区理解

以三极管输出特性曲线讲解:

从图中看出,当前端电流 确定下来的时候,后端输出电流 是具有最大值的(平行于横轴)。通俗点来理解:当前端电流固定时,传送给后端电流的能力是有限的,这个能力的学术名称就是CTR(电流传输比),CTR大就表示传输能力强,能驱动得起后端。

假设后端想要更大电流,但是光耦给不起了,在电阻RL一定的情况下,后端只能增大Vce的值,使实际的输出电流Ic维持在其能够提供的最大值。从图中来看就是,给我的 就只有这么大,我自己也只有这么大的能力,你想要更多,对不起我给不起,反正进入线性区之后, 最大就这么大了, 倒是想要多大就能变多大,我就通过改变 来维持住我 的最大值呗!

总之,你想要大电流,要么增大 ,要么换CTR大的光耦,或者按照设计约束重新设计两端电阻。你这个设计本身就不合理。

六、举例分析

例如图1中的光耦电路,假设 Ri = 1k,Ro = 1k,光耦CTR= 50%,光耦导通时假设二极管压降为1.6V,副边三极管饱和导通压降Vce=0.4V。输入信号Vi是5V的方波,输出Vcc是3.3V。Vout能得到3.3V的方波吗?

我们来算算:

If = (Vi-1.6V)/Ri = 3.4mA

副边的电流限制:Ic’≤ CTR*If = 1.7mA

假设副边要饱和导通,那么需要Ic’= (3.3V – 0.4V)/1k = 2.9mA,大于电流通道限制,所以导通时,Ic会被光耦限制到1.7mA, Vout = Ro*1.7mA = 1.7V

所以副边得到的是1.7V的方波。

为什么得不到3.3V的方波,可以理解为图1光耦电路的电流驱动能力小,只能驱动1.7mA的电流,所以光耦会增大副边三极管的导通压降 来限制副边的电流到1.7mA。

解决措施:增大If;增大CTR;减小Ic。

对应措施为:减小Ri阻值;更换大CTR光耦;增大Ro阻值。

将上述参数稍加优化,假设增大Ri到200欧姆,其他一切条件都不变,Vout能得到3.3V的方波吗?

重新计算:If = (Vi – 1.6V)/Ri = 17mA;副边电流限制Ic’

≤ CTR*If = 8.5mA,远大于副边饱和导通需要的电流(2.9mA),所以实际Ic = 2.9mA。

所以,更改Ri后,Vout输出3.3V的方波。

开关状态的光耦,实际计算时,一般将电路能正常工作需要的最大Ic与原边能提供的最小If之间 Ic/If的比值与光耦的CTR参数做比较,如果Ic/If ≤CTR,说明光耦能可靠导通。一般会预留一点余量(建议小于CTR的90%)。

以上六点即为对光耦简单应用的总结。

参考:

光耦选型最全指南及各种参数说明 - 百度文库
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