第1个回答 2019-03-16
精选5-反相器ppt.ppt
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文档介绍：CMOS反相器. * energy-delay energy delay 0 5 10 15 0.5 1 1.5 2 2.5 Vdd (V) Energy-Delay (normalized) 例5.15 0.25?m CMOS反相器的最优电源电压 VTn=0.43V, VDsatn=0.63V, VTEn=0.74V, VTp=-0.4V, VDsatp=-1V, VTEp=-0.9V, VTE≈(VTEn+|VTEp|)/2=0.8V 因此，VDDopt=(3/2) ×0.8V=1.2V 所预测的最优电源电压为1.1.V Energy-Delay Energy Delay END * 阻抗是电路或设备对交流电流的阻力，输出阻抗是在出口处测得的阻抗。阻抗越小，驱动更大负载的能力就越高。 输入阻抗是在入口处测得的阻抗。高输入阻抗能够减小电路连接时信号的变化，因而也是最理想的。 CMOS反相器. * 5.4.3 从设计角度考虑传播延时 NMOS与PMOS的比 使PMOS管较宽，以使它的电阻与下拉的NMOS管匹配。这通常要求PMOS和NMOS的宽度比在3~3.5之间 对称VTC 由高至低与由低至高的传播延时相等 如果对称性和噪声容限不是主要的考虑因素，那么实际上有可能通过减少PMOS器件的宽度来加快反相器的速度 使PMOS较宽因充电电流的增加而改善了反相器的tpLH，但它也由于产生较大的寄生电容而使tpHL变差 ? = (W/L) p/(W/L) n r = Reqp/Reqn (代表尺寸完全相同的PMOS和NMOS晶体管的电阻比) ?opt = ?r (当导线电容可以忽略时) CMOS反相器. * 例5.6 确定以相同门为负载的CMOS反相器的尺寸 图5.18 CMOS反相器的传播延时与PMOS对NMOS管比值β的关系 ? = (W/Lp)/(W/Ln) tp(sec) ?