英诺赛科2023年成绩单揭晓：5亿颗硅基GaN芯片出货量创新高
随着2024年脚步的推进，第三代半导体行业的巨头们纷纷亮出2023年的成绩单。日前，作为行业翘楚的英诺赛科已率先分享了他们在出货量、新品研发、技术创新等方面的亮点。让我们一起聚焦于这家企业的辉煌成果。
首先，出货量方面，英诺赛科在2023年前8个月便已实现了3亿颗硅基GaN芯片的出货量，下半年的业务增长势头强劲。尽管具体业绩数据尚未公布，但上半年销售额的500%增长预示着全年成绩令人瞩目。这得益于下半年业务的稳健拓展，显示出公司对市场的积极把握。
新品研发突破
新品研发方面，英诺赛科在高压和低压领域均取得了显著进展。他们推出了700V的高压GaN产品，专为服务器和光伏等高功率市场设计，还提供了650V多种阻值的封装选项，以满足多样化应用场景。低压产品方面，他们发布了支持48V BMS应用的100V VGaN-INV100FQ030A，以及集成100V ISG3201和700V ISG610X的合封芯片SolidGaN系列，实现了量产。
特别值得一提的是，英诺赛科的双向导通VGaN产品在2021年就已成功导入OPPO手机，成为首款进入智能手机内部电源开关领域的GaN芯片，如今，更多品牌如Vivo、联想、一加、Realme和摩托罗拉也采用其VGaN技术，为手机充电保护带来了革新。
2024年2月，英诺赛科又推出了100V GaN芯片，这款新品针对48V/60V电池管理系统和电源系统开关电路提供高效解决方案，单芯片可替代传统Si MOSFET，显著减小了系统尺寸。该产品已进入量产阶段，预示着公司在技术革新上的持续发力。
技术研发与市场布局
为了进一步提升竞争力，英诺赛科在2023年11月启用全球研发中心，目标不仅是成为新型宽禁带半导体材料和器件的研发基地，还将深入研究大规模量产中的技术难题。这意味着，未来市场将见证更多英诺赛科创新技术和产品的诞生。
在市场格局上，尽管Power Integrations（PI）等竞争对手的业绩出现下滑，但英诺赛科凭借强劲表现，2023年市占率有望跃居全球第一。随着行业整合的深入和市场变化，GaN市场的竞争将更为激烈，但同时也孕育着新的机遇。
消费电子市场仍是GaN领域的主流驱动力，但2023年以来，GaN技术已开始拓展至光储充、车载激光雷达等领域，预计在2025年前后，低功率OBC和DC-DC等领域将出现GaN的少量渗透。这意味着，GaN技术正逐渐打开新的应用空间，为行业带来更多创新可能。
总结与展望
英诺赛科2023年的亮眼表现，不仅体现在出货量的突破上，更在于新品的研发和技术创新。随着市场趋势的变化，以及公司在技术研发上的持续投入，GaN市场的竞争格局和应用领域都将迎来新的篇章。让我们共同期待2024年英诺赛科带来更多的惊喜与突破。