本人在学习电力电子器件的时候遇到几个问题，希望各路大神可以不理赐教！！！

Question

1、寄生二极管的作用是避免因为在导通状态下源极和漏极误加反向电压，导致电流过大而烧坏管子吗？还是说为了避免在断态下，源极和漏极误加反向电压而导致反向击穿？
2、MOS管是不是可能因为漏源电压变化率过大或者漏极电流过大也会产生类似于擎住效应的后果？
3、晶闸管包括GTO是否都有二次击穿的问题？
4、晶闸管串联时，并联电阻为什么起不到动态均压的作用，只能起到静态均压的作用？
5、MOS管、IGBT还有晶闸管，在作为电力电子器件时，虽然是让他们工作在饱和区，但是栅极电压或者门极电流还是对主电路电流有着约束关系，那么在实际的使用当中应该如何处理这一问题？

Answer 1

你的问题够大、多了，要回答全需要图文并茂，够成论文了。简单回答，可以一起探讨。
寄生二极管的作用是避免因为在关断状态时源极和漏极可能出现的反向电压，导致电压过高而击穿管子。
MOS管有可能因为漏源电压变化率过大或者漏极电流过大而产生失控的后果。
晶闸管包括GTO是有二次击穿的问题。
晶闸管串联时，并联电阻由于半导体器件非线性和参数离散性，所以起不到动态均压的作用，只能起到静态均压的作用。
电力电子器件主要工作在饱和区或截止区，这时损耗较小，但栅极电压（门极电压）对主电路电流有着约束关系，实际电路要求驱动电路上升前沿陡，有一定的驱动功率，在尽可能短时间内使其快速导通或关断。