由于IGBT模块为MOSFET结构，IGBT的栅极通过一层氧化膜与发射极实现电隔离。由于此氧化膜很薄，其击穿电压一般达到20～30V。因此因静电而导致栅极击穿是IGBT失效的常见原因之一。 因此使用中要注意以下几点：
1. 在使用模块时，尽量不要用手触摸驱动端子部分，当必须要触摸模块端子时，要先将人体或衣服上的静电用大电阻接地进行放电后，再触摸;
2. 在用导电材料连接模块驱动端子时，在配线未接好之前请先不要接上模块;
3. 尽量在底板良好接地的情况下操作。
在应用中有时虽然保证了栅极驱动电压没有超过栅极最大额定电压，但栅极连线的寄生电感和栅极与集电极间的电容耦合，也会产生使氧化层损坏的振荡电压。为此，通常采用双绞线来传送驱动信号，以减少寄生电感。在栅极连线中串联小电阻也可以抑制振荡电压。
此外，在栅极—发射极间开路时，若在集电极与发射极间加上电压，则随着集电极电位的变化，由于集电极有漏电流流过，栅极电位升高，集电极则有电流流过。这时，如果集电极与发射极间存在高电压，则有可能使IGBT发热及至损坏。
在使用IGBT的场合，当栅极回路不正常或栅极回路损坏时(栅极处于开路状态)，若在主回路上加上电压，则IGBT就会损坏，为防止此类故障，应在栅极与发射极之间串接一只10KΩ左右的电阻。
在安装或更换IGBT模块时，应十分重视IGBT模块与散热片的接触面状态和拧紧程度。为了减少接触热阻，最好在散热器与IGBT模块间涂抹导热硅脂。一般散热片底部安装有散热风扇，当散热风扇损坏中散热片散热不良时将导致IGBT模块发热，而发生故障。因此对散热风扇应定期进行检查，一般在散热片上靠近IGBT模块的地方安装有温度感应器，当温度过高时将报警或停止IGBT模块工作 。
1. 一般保存IGBT模块的场所，应保持常温常湿状态，不应偏离太大。常温的规定为5～35℃ ，常湿的规定在45～75%左右。在冬天特别干燥的地区，需用加湿机加湿;
2. 尽量远离有腐蚀性气体或灰尘较多的场合;
3. 在温度发生急剧变化的场所IGBT模块表面可能有结露水的现象，因此IGBT模块应放在温度变化较小的地方;
4. 保管时，须注意不要在IGBT模块上堆放重物;
5. 装IGBT模块的容器，应选用不带静电的容器。
6. 检测IGBT模块的的办法。
1. 温度管理： IGBT模块在工作过程中会产生热量。必须确保良好的散热设计，以防止温度过高，这可能会导致器件失效。
2. 电压和电流： 确保输入电压和电流在规定的范围内。超出规定范围可能导致损坏或不稳定的性能。
3. 驱动电路： 使用适当的驱动电路确保对IGBT的准确控制。控制信号的斜率和脉冲宽度需要符合IGBT的规格要求。
4. 过电流保护： 实施过电流保护机制，以防止器件因电流过载而受损。这通常涉及使用保险丝、电流传感器或电流限制电路。
5. 绝缘： 确保模块和相关电路的绝缘性能良好，以防止电气故障和危险。
6. 外部环境： 考虑IGBT模块所处的环境条件，例如湿度、灰尘、震动等对其性能的影响，并采取必要的防护措施。
7. 可靠性测试： 在实际使用之前进行适当的可靠性测试和质量控制，以确保模块的可靠性和长期稳定性。
8. 参考数据手册： 遵循制造商的建议，并仔细阅读相关的数据手册和规格说明，以确保正确的使用和操作。
在用导电材料连接模块驱动端子时，在配线未接好之前请先不要接上模块;