体效应二极管又称耿氏（Gunn）二极管或转移电子器件（TED），它可以实现微波信号的产生和放大
，体效应二极管与普通器件的比较：
1、普通器件是以结或栅为其工作基础的；而体效应二极管为体器件，不存在结或栅；
2、大多数晶体管是由单一半导体元素制成的，如硅。而体效应器件是用化合物半导体材料生产，如砷化镓（GaAs）、磷化铟、（InP）、或碲化镉（CdTe）制成的；
3、晶体管是以能量比半导体中电子热激发能量（室温下0.026eV）大不了多少的“温热”电子工作，而体效应器件是以能量比热激发能大的多的“热”电子工作的。
体效应二极管是在1963年由IBM公司的J.B.Gunn发明的。1967年用外延法制作成实用的耿氏（Gunn）二极管。1969年采用倒装结构改善散热。此后体效应管的研制和生产发展迅速，成为一种成熟的微波半导体功率器件，成功取代了小功率反射速调管，在4-60
GHz的频率范围内，广泛用于本机振荡器、讯号源、泵源及小功率发射源。
体效应二极管的结构是简单的：将一块n型GaAs外延片，两面作上欧姆接触，装入管壳内，并焊上引线即可。把这样一个体效应二极管安装在谐振腔内，管子两端加上子流电压，这时体效应管就能将输入的直流能量转变为微波能量输出。
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