SiP系统级封装工艺流程

如题所述

探索未来电子技术的创新之路:SiP系统级封装工艺全解析


自90年代起,系统级封装(System-in-Package, SIP)技术犹如一股潮流,以其卓越的性能和广阔的市场前景,成为了电子技术研究的焦点。SIP封装工艺的不断创新,不仅定义了新的技术体系,还引领了电子集成的革新。本文将深入剖析SIP的制造与工艺,揭示其定义、发展路径、关键工艺流程以及在不同应用领域的优势。


定义与分类


SIP封装是一种将多个功能模块集成在单一封装中的技术,区别于系统级芯片(SiC)的集成方式。它分为2D、堆叠和3D三种类型,每种类型都有其独特的制程工艺。引线键合与倒装焊是两种主要的组装方法,前者如圆片减薄,涉及芯片切割和粘结,而倒装焊则解决了焊盘间距问题,赋予了更大的设计灵活性和散热性能。


核心工艺


引线键合:传统采用0.025-0.032mm直径的金线,键合过程包括热压焊和热超声焊。金线在100-400℃下完成键合,研究中尝试用铝或铜替代,以降低温度并提升器件寿命。等离子清洗则在关键步骤中确保膜的附着力,如在Si衬底上增强Au膜的粘附。


液态密封剂灌封:通过加热塑封料注入模具,经过后固化处理,温度控制在170-175℃,固化时间2-4小时,确保封装的可靠性和完整性。


在装配阶段,焊料球的植球技术,无论是“锡膏+锡球”还是“助焊膏+锡球”方案,都旨在提升焊接质量和可靠性。表面打标则为封装提供了独一无二的识别标记。


倒装焊技术


倒装焊技术以圆片处理、键合、填充等步骤为核心,显著缩短了互联长度,改善了信号传输和散热性能。其易于返修的特性,使得在设计上更加灵活。通过优化工艺,如焊盘再分布和凸点制作,SIP在高频率和大功率应用中展现出显著优势。


封装基板与关键因素


SIP封装基板的选择至关重要,涉及刚性、柔性、有机/无机/复合材料等多种类型。表面处理技术,如化学镍金或电镀金,对键合质量影响显著。镀层结晶、清洁度和镍金厚度的控制是保证工艺质量的关键。


SiP技术的应用与挑战


SIP技术在无线通信、汽车电子、医疗电子等领域大显身手,如集成射频功放和ECU控制。在医疗设备中,如胶囊内窥镜,它满足了小型化和高可靠性需求。在SoC与SIP的融合中,SIP提供了超越SoC集成度的解决方案,如在Apple产品中,触控芯片和指纹识别等元件的集成预示了未来更深层次的应用。


尽管3D封装设计的复杂性是挑战之一,但SIP的无尽可能性以及其在性能提升和成本降低方面的潜力,使得它成为电子技术领域不可忽视的发展趋势。随着封装技术的不断进步,SIP将继续革新我们对电子集成的理解和实践。

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