DDR3传输速度最高到2133MHz不等；而DDR4的传输速度从2133MHz起，最高可达4266MHz。
储存方面同一单位的的DDR4芯片拥有比DDR3多一倍的储存空间，同时DDR4能够搭载最多8个模块。比DDR3多一倍。这样算下来同样的空间DDR4模块的最大容量比DDR3多4倍。DDR3所需的标准电源供应是1.5V而DDR4降至1.2V，移动设备设计的低功耗DDR4更降至1.1V。
DDR4最重要的使命当然是提高频率和带宽。DDR4内存的每个针脚都可以提供2Gbps(256MB/s)的带宽，DDR4-3200那就是51.2GB/s，比之DDR3-1866高出了超过70％。
默认频率DDR4 2133 CL15
DDR4 2133频率下带宽测试：48.4GB/s
DDR4在使用了3DS堆叠封装技术后，单条内存的容量最大可以达到目前产品的8倍之多。举例来说，目前常见的大容量内存单条容量为8GB（单颗芯片512MB，共16颗），而DDR4则完全可以达到64GB，甚至128GB。而电压方面，DDR4将会使用20nm以下的工艺来制造，电压从DDR3的1.5V降低至DDR4的1.2V，移动版的SO-DIMMD DR4的电压还会降得更低。
总结：
1：DDR4内存条外观变化明显，金手指变成弯曲状
2：DDR4内存频率提升明显，可达4266MHz
3：DDR4内存容量提升明显，可达128GB
4：DDR4功耗明显降低，电压达到1.2V、甚至更低
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