光刻机的曝光模式主要有三种:接触式曝光、接近式曝光和投影式曝光。
接触式曝光(Contact Printing)是最早的光刻技术,其中软接触方式是将基片通过托盘吸附在掩膜板上,硬接触则是利用气压使基片与掩膜板紧贴,真空接触则是在两者间抽气以获得更紧密的接触。尽管分辨率高,但接触式曝光存在光刻胶污染掩膜板、掩膜板磨损严重等问题,且已逐渐被接近式曝光所取代。我国的光刻机研发机构目前主要侧重于接触式曝光,尚未实现非接触式的工艺化产品。
接近式曝光(Proximity Printing)通过保持微小缝隙(0~200μm)避免直接接触,延长了掩膜板寿命,减少图形缺陷,是现代光刻工艺的主流。它能耐久使用,掩模板磨损低,提高10倍以上的使用寿命。
投影式曝光(Projection Printing)则是利用光学系统聚集光进行曝光,具有分辨率提升和掩膜板制作简单等优点。投影式曝光分为扫描投影、步进重复投影和扫描步进投影。扫描投影适用于70年代末到80年代初的1μm工艺,步进重复投影则在80年代末到90年代用于0.35μm至0.25μm工艺,曝光区域较小。扫描步进投影在90年代末后用于小于0.18μm的工艺,提供更大的曝光视场和硅片表面平整度补偿,但对机械系统精度要求更高。
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