1. 从单晶硅切割下来的硅片经过磨光和抛光处理，以获得平滑的表面。
2. 硅片表面氧化，形成一层氧化硅薄膜，为后续的光刻步骤做准备。
3. 进行光刻工艺，通过光刻机将电路图案转移到硅片上。
4. 进行埋层扩散，将特定的掺杂元素扩散到硅片表面，形成电路的埋层。
5. 进行外延生长，以增强硅片的导电性或形成特定结构的层。
6. 再次氧化硅片，形成绝缘层，为后续的扩散步骤做准备。
7. 进行隔离扩散，形成隔离区，以隔离不同的电路部分。
8. 氧化硅片，形成一层绝缘膜，为后续的光刻步骤做准备。
9. 进行基区扩散，形成PN结，作为电路的基础。
10. 氧化硅片，为后续的发射区扩散做准备。
11. 进行发射区扩散，形成电路的发射区。
12. 真空镀铝，在硅片上镀上一层铝，用于后续的电极制作。
13. 进行光刻，定义电极的形状。
14. 烧结工艺，形成欧姆接触，即在硅片上形成金属与半导体之间的良好接触。
15. 初测，对初步完成的集成电路进行测试。
后续工序包括：
16. 划片，将硅片分割成单个的集成电路。
17. 烧结基座，为集成电路提供支撑。
18. 键合，将芯片与载体连接。
19. 中测，对键合后的芯片进行第二次测试。
20. 包封，用塑料或其他材料封装芯片，保护其免受外界环境影响。
21. 老化，对封装后的芯片进行长时间测试，确保其可靠性。
22. 测试，对老化后的芯片进行性能测试。
23. 打印，通过激光或丝印技术在芯片上打印标识，如型号、生产日期等。
说明：上述工艺流程仅为一个例子，不同厂家的工艺名称可能有所不同，但基本步骤相似。MOS电路的工艺与上述工艺有所不同，具体差异未在文本中详细说明。
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