在CES2017的展示中，高通展示了新一代的骁龙835处理器，其Kryo280八核架构和10nm FinFET工艺带来了显著变化。本文将深入解析骁龙835与821之间的区别以及新特性。
新特性概览：
Quick Charge 4.0：高效快充
骁龙835搭载了Quick Charge 4.0技术，兼容USB Type-C，相较于前代的QC3.0，充电速度提升20%，并且在5分钟内可提供5小时通话时间，充电安全有保障。
10nm工艺与能耗降低
835采用了最先进的10nm工艺，体积减小35%，相比821的14nm工艺，功耗下降25%，提升能效，减少发热，延长电池续航。
性能飞跃
835采用Kryo280架构，拥有4大核+4小核设计，最大主频提升，Adreno 540 GPU支持4K显示和VR，同时支持UFS 2.1闪存、LPDDR4x内存，以及更全面的摄像头支持，整体性能显著提升。
更先进的连接技术
骁龙835支持X16 LTE调制解调器和蓝牙5.0，为数据传输提供更快、更稳定的连接。
835与821的差异
835相较于821的主要变化包括：
性能升级
835的八核设计与更强大的GPU，使得整体性能较四核的821有了显著提升。
能耗更低
10nm工艺带来的功耗降低，让835在发热控制和续航方面表现更佳。
快充技术升级
835的QC4.0技术比821的QC3.0快20%，充电速度更快，5分钟内通话时间增加。
其他提升
835在基带、蓝牙支持、双摄性能以及内存规格等方面也有显著提升。
总结
总的来说，骁龙835在性能、能效、快充和连接技术上均优于821，是今年安卓旗舰手机的理想选择，综合提升明显，无疑将引领市场潮流。