这是两种描述晶圆规格及工艺水平的数据，几寸指的晶圆大小（直径），几纳米指的晶体管之间的距离，晶圆直径越大，且晶体管之间的距离越小，那么单片晶圆上集成的晶粒（芯片）数也越多，也就是集成度越高，所以尺寸越做越大，间距（纳米）越做越小，技术也越来越复杂。
硅是由石英砂所精练出来的，晶圆便是硅元素加以纯化（99.999%）。
扩展资料：
注意事项：
1、由于晶圆生产工艺中，其表面会形成薄膜，这需要光刻技术将它去掉。在晶圆制造过程中，晶体、电容、电阻等在晶圆表面或表层内构成，这些部件是每次在一个掩膜层上生成的，并且结合生成薄膜及去除特定部分，通过光刻工艺过程，最终在晶圆上保留特征图形的部分。
2、光刻确定了器件的关键尺寸，光刻过程中的错误可造成图形歪曲或套准不好，最终可转化为对器件的电特性产生影响。
3、高纯度的多晶硅放在石英坩埚中，并用外面围绕着的石墨加热器不断加热，温度维持在大约一千多摄氏度，炉中的空气通常是惰性气体，使多晶硅熔化，同时又不会产生不需要的化学反应。
参考资料来源：百度百科-晶圆
参考资料来源：百度百科-晶圆工艺
参考资料来源：百度百科-纳米
参考资料来源：百度百科-晶体管
参考资料来源：百度百科-硅
硅晶圆直径和集成电路工艺尺寸是两个不同的概念，它们在半导体制造领域有不同的作用和含义。
1. 硅晶圆直径：
- 含义：硅晶圆直径是指用于半导体芯片制造的圆形硅晶体圆片（通常简称为晶圆）的直径大小。硅晶圆是半导体制造的基础材料之一，它通常由单晶硅制成，用于制作集成电路、芯片和其他半导体器件。
- 尺寸：硅晶圆的直径可以有不同规格，常见的直径包括200毫米（8英寸）、300毫米（12英寸）等。直径越大，可以在晶圆上制造更多的芯片，从而提高生产效率和降低制造成本。
2. 集成电路工艺尺寸：
- 含义：集成电路工艺尺寸是指制造集成电路时用于定义芯片中晶体管、电路元件和互连线的尺寸和几何形状的参数。这些尺寸包括晶体管的门宽、金属线的宽度、间距等，它们决定了芯片的性能、功耗和集成度。
- 尺寸：集成电路工艺的尺寸通常以纳米（nm）为单位来衡量，例如，最先进的工艺可能是7纳米、5纳米或更小。较小的工艺尺寸意味着可以在芯片上容纳更多的晶体管，从而提高性能和功耗效率。
要注意的是，硅晶圆直径和集成电路工艺尺寸是两个不同的概念，它们分别涉及到硅晶圆的物理尺寸和芯片上电子元件的微观尺寸。在半导体制造中，硅晶圆直径通常不会随着工艺尺寸的减小而改变，而是由制造工厂的设备和工艺能力来决定。然而，工艺尺寸的减小可以带来更高的集成度、性能提升和功耗优化，因此它在半导体工业中具有重要意义。
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