反相器的CMOS反相器

如题所述

电路结构
CMOS反相器电路如图2.7-1(a) (b)所示它由两个增强型MOS场效应管组成,其中V1为NMOS管,称驱动管,V2为PMOS管,称负载管。 NMOS管的栅源开启电压UTN为正值,PMOS管的栅源开启电压是负值,其数值范围在2~5V之间。为了使电路能正常工作,要求电源电压UDD>(UTN+|UTP|)。UDD可在3~18V之间工作,其适用范围较宽。
工作原理
(1)当UI=UIL=0V时,UGS1=0,因此V1管截止,而此时|UGS2|>
|UTP|,所以V2导通,且导通内阻很低,所以UO=UOH≈UDD, 即输出为高电平.
(2)当UI=UIH=UDD时,UGS1=UDD>UTN,V1导通,而UGS2=0<|UTP|,因此V2截止。此时UO=UOL≈0,即输出为低电平。 可见,CMOS反相器实现了逻辑非的功能.
CMOS反相器的主要特性?
CMOS反相器的电压传输特性如图2.7-2所示。
CMOS 反相器的电流传输特性2.7-3图 2.7-2 CMOS反相器的电压传输特性
在AB段由于V1截止,阻抗很高,所以流过V1和V2的漏电流几乎为0。 在CD段V2截止,阻抗很高,所以流过V1和V2的漏电流也几乎为0。只有在BC段,V1和V2均导通时才有电流iD流过V1和V2,并且在UI=1/2UDD附近,iD最大。

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