LED和LD的发光原理，它们有什么不同点？

Question

如题所述

Answer 1

在发光原理上的差别：LED是利用注入有源区的载流子自发辐射复合发光，而LD是受激辐射复合发光。

LED是 Light Emitting Diode（发光二极管）的缩写。广泛见于日常生活中，如家用电器的指示灯，汽车后防雾灯等。LED的最显着特点是使用寿命长，光电转换效能高。其原下上在某些半导体材料的PN结中，注入的少数载流子与多数载流子复合时会把多余的能量以光的形式释放出来，从而把电能直接转换为光能。PN结加反向电压，少数载流子难以注入，故不发光。这种利用注入式电致发光原理制作的二极管叫发光二极管，通称LED。 

LD是雷射二极管的英文缩写，雷射二极管的物理架构是在发光二极管的结间安置一层具有光活性的半导体，其端面经过抛光后具有部分反射功能，因而形成一光谐振腔。在正向偏置的情况下，LED结发射出光来并与光谐振腔相互作用，从而进一步激励从结上发射出单波长的光，这种光的物理性质与材料有关。半导体雷射二极管的工作原理，理论上与气体雷射器相同。雷射二极管在电脑上的光碟磁碟机，雷射印表机中的列印头等小功率光电装置中得到了广泛的应用。

二者在原理、架构、效能上的差别。

（1）在工作原理上的差别：LED是利用注入有源区的载流子自发辐射复合发光，而LD是受激辐射复合发光。

（2）在架构上的差别：LD有光学谐振腔，使产生的光子在腔内振荡放大，LED没有谐振腔。

（3）效能上的差别 ：LED没有临界值特徴，光谱密度比LD高几个数量级，LED汇出光功率小，发散角大。 

Answer 2

LED 俗称半导体发光二极管；
LD 俗称半导体激光二极管。
两者的发光机制没有本质的区别，即： 通过正向偏置电流驱动，使半导体P区和N区的交界处（即PN结产生粒子激励，电子及带电空穴在电流驱动下往高能级跃迁，然后又从高能级回复到低能级，同时释放一个光子，即实现其发光。

激光器的工作存在与普通光源不同之处在于，它同时需要 激光工作物质（这在半导体激光二极管LD中，激光工作物质即为半导体材料）， 泵浦（即外加的能量源），谐振腔。
LD和LED 的工作时，其体系结构中都存在半导体工作物质和泵浦源，唯一不同的是，LD在其外层通过自然解理形成一重谐振腔，该谐振腔有一定的发光门限条件（即阈值条件） 当达到这个条件是，激光器才开始粒子数反转受激发光。 当LD的驱动还没达到阈值条件时，它的发光机理其实和LED是没有明显区别的。

在光束质量方面，LED发出的光束简并度次于LD，换句话说，即LD发出的光具备较好的波长特性、方向准直特性、相位特性等..

Answer 3

1.LED是利用注入有源区的载流子自发辐射复合发光

2.LD是受激辐射复合发光

3.结构上的差别：LD有光学谐振腔，使产生的光子在腔内振荡放大，LED没有谐振腔。

4.性能上的差别 ：LED没有阈值特性 ,光谱密度比LD高几个数量级 , LED输出光功率小,发散角大。本回答被网友采纳

Answer 4

在某些半导体材料的PN结中，注入的少数载流子与多数载流子复合时会把多余的能量以光的形式释放出来，从而把电能直接转换为光能。PN结加反向电压，少数载流子难以注入，故不发光。这种利用注入式电致发光原理制作的二极管叫发光二极管，通称LED。
ld工作原理很简单，就是在高能级的电子跃迁到低能级，受激发射出光子，光子在谐振腔里振荡，干涉相长，当增益大于损耗的时候就能够发射出激光了