电子技术题目,谁能帮我详细分析下答案过程

如题所述

首先Rb1和Rb2串联分压,由这个得到晶体管基极的电位是5V。
由于基极加了高电位,这时候晶体管要开启。
对于硅管,基极和发射极的电压降约为0.7V(一个pn结的压降)。也就是发射极的电位约为4.3V。
所以电阻Re两端电压约为4.3V。
用4.3V除以Re就是发射极的电流了。
Ie=Ic+Ib, Ic=70Ib,根据这个就能算出来基极的电流约为40uA。也能知道Ic大小。
知道了Ic,用电源电压减去Rc的压降就能得到集电极的电位。
这样就能算出集电极和发射极之间的电位差Uce。(答案在计算Uce的时候用了近似,认为Ic和Ie相等)
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第1个回答  2013-07-01
VB的电压等于RB2两端的电压。25/(40+10)为该支路电流值,乘以RB2的电阻10得到5V。
Q表示什么 能否说下?追问

Q表示端路25V

追答

ICQ=IEQ=(5v-0.7)/1.5.(0.7v为三极管压降0.6~0.8V,5V为RE和三级管两端电压,1.5V为RE电阻值。)
IB=IE/(b+1)即第三式
Uce=Ucc-Ic(Rc+Re)
这样可以看懂吗?

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