固态硬盘中0和1采用的物理表示方法是电压阈值的判定,以此来确定存储的数据是1还是0。
1、固态硬盘(SSD)中,存储单元结构分别有三种,分别是SLC(Single Level Cell 单层单元)、MLC(Multi-Level Cell 多层单元)、TLC(Triple Level Cell 三层单元)。
2、SLC(Single Level Cell 单层单元),就是在每个存储单元里存储 1bit 的数据,存储的数据是0还是1是基于电压阀值的判定。
3、SLC对于 NAND Flash 的写入(编程),就是控制 Control Gate 去充电,使得浮置栅极存储的电荷够多,超过4V,存储单元就表示 0(已编程),如果没有充电或者电压阀值低于4V,就表示 1(已擦除)。
4、MLC(Multi-Level Cell 多层单元), 就是每个存储单元里存储 2bit 的数据,也是基于电压阀值的判定,
5、MLC当充入的电荷不足3.5V时,就代表”11”,当充入的电荷在3.5V和4.0V之间,则代表”10”,当充入的电荷在4V和5.5V之间,则表示”01”,当充入的电荷在5.5V以上,则表示”00”。
6、TLC(Triple Level Cell 三层单元), 比较复杂,因为每个存储单元里存储 3bit 的数据,所以它的电压阈值的分界点就更细致,导致的结果也就每个存储单元的可靠性也更低。
扩展资料:
SLC = Single-Level Cell ,即1bit/cell,速度快寿命长,价格贵(约MLC的3倍以上的价格),约10万次擦写寿命。
MLC = Multi-Level Cell,即2bit/cell,速度一般寿命一般,价格一般,约3000—10000次擦写寿命。
TLC = Trinary-Level Cell,即3bit/cell,也有Flash厂家叫8LC,速度慢寿命短,价格便宜,约500次擦写寿命。
参考资料来源:百度百科-固态硬盘
参考资料来源:中国硬盘基地-ssd固态硬盘的构造和原理你知道多少?