胡汉泉，1918年5月17日出生于北京，是中国电子科技领域的重要人物。他的学术生涯始于1936年至1940年，就读于上海交通大学电机系，专攻电讯专业，获得工学士学位。接着，他赴美国深造，1940年至1941年在密歇根大学电机系攻读，获取硕士学位。
在美国期间，胡汉泉的专业技能得到了显著提升。1942年10月至1943年12月，他在美国斯巴登无线厂担任米波车载无线发射机、接收机和定向机的测试工程师。随后，他于1944年1月至1946年8月，在美国RCA电子管厂担任磁控管研究工程师，积累了丰富的实践经验。
1946年9月至1949年9月，胡汉泉在依利诺大学电机乐电子管试验室担任研究讲师，并进一步进修博士，最终于1949年获得博士学位。1949年11月，他从美国回到国内，抵达天津，开始了在国内的科研生涯。
回国后，胡汉泉服务于铁道部铁道研究所，担任电工组研究员，直至1955年2月。随后，他调入二机部十局技术处，任三级工程师，参与筹备电真空研究所，并深入参与了1956年至1967年的科学发展规划和电真空技术发展规划工作。
1956年冬至1984年2月，胡汉泉在北京真空电子技术研究所（12所）担任总工程师，副所长，直至所长，期间为我国真空电子技术的发展做出了重大贡献。1984年2月至1989年9月，他担任北京真空技术研究所的教授级高级工程师和部聘技术顾问，继续在科研领域发挥影响力。
直到1989年9月，胡汉泉开始以所聘顾问的身份活跃于科研一线，直至2004年6月。2005年7月22日，他病逝于美国德州达拉斯，留下了宝贵的科学遗产。
胡汉泉，真空电子技术和微波真空电子器件专家，中国电子学会会士，中国微波真空电子器件的主要开拓者之一。1940年毕业于交通大学电机系。历任铁道部铁道科学研究院通讯组研究员，电子工业部北京真空电子技术研究所总工程师、副所长、所长，中国电子学会第一、三届理事和第二届常务理事。指导研究成功2008年管衰减陶瓷质量监控技术、2014前向波放大器反馈测试方法、用离子探针寻找6016管阴极中钙的分布方法。对提高EY－－501行波管寿命的研究作出了贡献。