为何齐纳二极管适用于稳压?

如题所述

采用齐纳二极管的低成本供电系统

这里详细说明了一个采用齐纳二极管的低成本稳压器方案。

可以用齐纳二极管和电阻做成简单的低成本3.3V稳压器,如图2-1所示。在很多应用中,该电路可以替代LDO稳压器并具成本效益。但是,这种稳压器对负载敏感的程度要高于LDO稳压器。另外,它的能效较低,因为R1和D1始终有功耗。

R1限制流入D1和PICmicro® MCU的电流,从而使VDD保持在允许范围内。由于流经齐纳二极管的电流变化时,二极管的反向电压也将发生改变,所以需要仔细考虑R1的值。

R1的选择依据是:在最大负载时——通常是在PICmicro MCU运行且驱动其输出为高电平时——R1上的电压降要足够低从而使PICmicro MCU有足以维持工作所需的电压。同时,在最小负载时——通常是PICmicro MCU复位时——VDD不超过齐纳二极管的额定功率,也不超过PICmicro MCU的最大VDD。

另一种是导通晶体管

在选择LDO时,重要的是要知道如何区分各种LDO。器件的静态电流、封装大小和型号是重要的器件参数。根据具体应用来确定各种参数,将会得到最优的设计。

LDO的静态电流IQ是器件空载工作时器件的接地电流IGND。IGND是LDO用来进行稳压的电流。当IOUT>>IQ时,LDO的效率可用输出电压除以输入电压来近似地得到。然而,轻载时,必须将IQ计入效率计算中。具有较低IQ的LDO其轻载效率较高。轻载效率的提高对于LDO性能有负面影响。静态电流较高的LDO对于线路和负载的突然变化有更快的响应。

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