第1个回答 2012-11-12
我认为你最好用 LLC半桥谐振拓扑结构，对于1000W的功率，还是很容易满足的。LLC结构最大的特点就是合理利用了变压器的漏感来进行能量变换。转换效率高，输出电压纹波小，频率也能做到很高。你的输出电流时20A，一般的整流电路是不行的，建议次级采用同步整流结构。还有就是，你的功率比较大，变换器的前级采用主动PFC校正电路，至于控制芯片嘛，还是很多的，PI，fairechild，安捷伦等公司有很多，你可以慢慢地选择！
第2个回答 2012-02-14
建议你用推挽或全桥，芯片选SG3525，开关管建议用IGBT，性能比MOS管还好。可以选电磁炉用的IGBT，耐压就够了。SG3525是图腾柱式输出，很适合驱动MOS管和IGBT，保护功能较完善，我用过。推挽用2只IGBT就可以了，全桥要用4只。
第3个回答 2012-02-26
说实话，我公司还真有这一种充电器，用的是TL494的芯片，因为是大功率，所以保护得很好，所以有单片机来控制， 用了四个IRF4N60(一个管子9元多)。 说实话，你连1000W用什么电路结构做都不知道，那就别挑战这种大家伙了，烧一次机都要几十块钱。 当然，如果你真想挑战，那也可以考滤用推挽式的电路结构吧，TL494或者3525都行，只是保护不好的话可能会充坏电池或者会烧机。祝你成功！
第4个回答 2012-02-15
正激、反激不用考虑了，200w反激的极限，500w正激的极限，至于是用半桥还是全桥，要看你用的功率管了，如果你用的是vmos或晶体管（bjt），那要用全桥，因为大电流、高电压的管子太少，用的是igbt话，半桥可以考虑。3842也不用考虑了，那是单片反激式PWM。