6英寸晶圆是中等水平。
晶圆是生产集成电路所用的载体,一般意义晶圆多指单晶硅圆片,晶圆是最常用的半导体材料,按其直径分为4英寸、5 英寸、6 英寸、8 英寸等规格。
6英寸晶圆WL-CSP 与传统的封装方式不同在于,传统的晶片封装是先切割再封测,而封装后约比原晶片尺寸增加20%;而WL-CSP则是先在整片晶圆上进行封装和测试,然后才划线分割,因此,封装后的体积与IC裸芯片尺寸几乎相同,能大幅降低封装后的IC 尺寸。
6英寸晶圆分层划片过程:
6英寸晶圆硅片划片方法主要有金刚石砂轮划片、激光划片。激光划片是利用高能激光束聚焦产生的高温使照射局部范围内的硅材料瞬间气化,完成硅片分离。
但高温会使切缝周围产生热应力,导致硅片边缘崩裂,且只适合薄晶圆的划片。超薄金刚石砂轮划片,由于划切产生的切削力小,且划切成本低,是目前应用最广泛的划片工艺。
6英寸晶圆由于硅片的脆硬特性,划片过程容易产生崩边、微裂纹、分层等缺陷,直接影响硅片的机械性能。同时,由于硅片硬度高、韧性低、导热系数低,划片过程产生的摩擦热难于快速传导出去,易造成刀片中的金刚石颗粒碳化及热破裂,使刀具磨损严重,严重影响划切质量。